化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD） 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應物通入反應室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學反應，并生成固態(tài)薄膜沉積下來

1200℃雙溫區(qū)三路氣體高真空CVD氣相沉積系統(tǒng)，真空度可達6.67x10-6Pa），兩個溫區(qū)獨立控制加熱，實驗操作更加方便。超高溫加熱元件，額定工作溫度可達1150℃。      主要用于真空燒結、氣氛保護性燒結、真空鍍膜、各種材料鍛燒、需要溫度梯度的各種CVD實驗。      該產(chǎn)品造型優(yōu)美、做工精細，測溫精準、控溫穩(wěn)定。

1200雙溫區(qū)三路氣路高真空CVD氣相沉積系統(tǒng)（管式爐爐管尺寸：φ60*220*220mm，0~1150℃工作溫度區(qū)間；真空泵：5~10-6Pa真空度，質(zhì)子氣體流量計精確至0.1）

“高真空"環(huán)境帶來了以下關鍵優(yōu)勢：

減少氣體分子碰撞： 真空度ji高意味著氣體分子平均自由程（分子之間連續(xù)碰撞的平均距離）非常長。這使得反應氣體分子能夠以直線方式到達基片表面，從而確保薄膜具有ji佳的均勻性和臺階覆蓋性（即使是在復雜的三維結構上也能均勻覆蓋）。降低污染： ji高的真空極大地減少了殘留的氧氣、水蒸氣等雜質(zhì)氣體分子，避免了它們與反應氣體或沉積薄膜發(fā)生不必要的副反應，從而制備出純度ji高、缺陷極少的高質(zhì)量薄膜。精確控制反應： 在高真空環(huán)境下，反應物的分壓可以得到更精確的控制，從而實現(xiàn)對薄膜生長速率、化學成分和晶體結構的精細調(diào)控。

PECVD應用領域：

1.微電子與半導體工業(yè)，介質(zhì)薄膜　低k介質(zhì)　多晶硅/非晶硅薄膜

2.光伏（太陽能電池）工業(yè)，氮化硅減反射鈍化膜　非晶硅/微晶硅薄膜太陽能電池

3.顯示技術（LCD/OLED），薄膜晶體管（TFT）陣列制造

4.光學領域，光學薄膜

PECVD優(yōu)點:
1.沉積溫度低

2. 薄膜質(zhì)量高

3. 良好的臺階覆蓋性和溝槽填充能力

4. 沉積速率較快

5. 廣泛的材料體系

此款燒結CVD系統(tǒng)的電源電壓：220V，50Hz，主要用途：CVD實驗，真空燒結、真空氣氛保護燒結、納米材料制備、電池材料制備等。